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高电压限制的保险丝熔断能力

    高电压限制适用于在接地与所有其他引脚 - 电路中在保险丝通过所有测试水平正负1KV，未能正负挤包。有许多潜在的用途为中的电路显示了正常浓输入线，一个敏感的数字IC。每一行是在输入的保险丝电流连接到分流。作为一个测试模型电阻值的数字用于评估能力提供公共服务电子化水平。无需外部保护，公共服务电子化水平工艺的能力通常是没有更好的比正负是当使用所示抗损伤。 （更高水平评估当时由于高电压的限制。）应当指出的是，符合方法测试允许一针测试时作为参考。虽然这不能作为争议处理的限制，这是不是对所有的测试方面的应用使用。

    为了正确适用使用指定的应用程序美云要求，V-引脚连接负电源或接地和V +引脚连接到正电源。被设计与使用电源端子的偏见等，具有较好的比正负16KV的能力。出于这个原因，作案编辑测试方法所述的V +引脚连接通过地面回报。
    纠正时，保险丝座在电路组装使用中，保护模式凡需要提供电保护主要兴趣为，接口中的应用被保护的设备的特点，可能会导致一些指定的问题。应用相关的问题和注意事项这里讨论的是有助于实现电路设计者保护的最大成功。输入保护逻辑芯片保护的限制，高电压限制的保险丝熔断能力并可能包含添加到任务提供的电路元件外部保护。考虑的情况下输入结构保护器件具有片上的保护，但只限于它将承受人体模型的最低要求用于保险丝测试下的方法。这通常是正负2kV的充电电容是100pF的被测设备的保险丝电压为正常状态下。

    电路上的插孔或者板孔决定了保险丝盒与保险丝座的安装和选择规则，显示了典型的网络逻辑电路输入多晶硅电阻级通常显示了一个保护对SCR细胞结构。在这个例子连接到逻辑电源和V型连接逻辑接地。 的终端连接到通过电阻逻辑器件的输入。当负瞬态电压施加到输入电路，逆向SCR保护电路导通时电压达到设备的正向阈值和目前进行转发偏见，通过可控硅电阻晶体管。 设备，然后提供基极电流正向偏置的器件之交。总之，晶体管形成一个被锁存到并联可控硅从IN到V的瞬态电流。向前可控硅保护电路具有相同的顺序反过来当一个积极的.

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